3 godzin temu
Nowa technologia pamięci UltraRAM, która ma łączyć prędkość DRAM, ekstremalną trwałość i wielowiekową retencję danych, osiągnęła przełomowy etap – jest gotowa do wdrożenia w produkcji seryjnej.
Odpowiedzialna za jej rozwój firma Quinas Technology we współpracy z producentem zaawansowanych wafli półprzewodnikowych IQE plc opracowała proces pozwalający na skalowanie UltraRAM do poziomu przemysłowego.
Według informacji podanych przez serwis Blocks & Files, kluczowym elementem sukcesu okazał się innowacyjny proces epitaksji z wykorzystaniem antymonku galu i antymonku glinu – rozwiązanie, które, jak twierdzi IQE, jest pierwszym takim osiągnięciem na świecie. Dzięki niemu możliwa staje się masowa produkcja pamięci UltraRAM.
– „Z powodzeniem osiągnęliśmy nasz cel, jakim było opracowanie skalowalnego procesu epitaksji dla UltraRAM. To kamień milowy na drodze do przemysłowej produkcji gotowych układów” – powiedziała Jutta Meier, CEO IQE. – „Projekt ten stanowi wyjątkową szansę na wprowadzenie kolejnej generacji półprzewodników złożonych w Wielkiej Brytanii.”
Z kolei James Ashforth-Pook, współzałożyciel i prezes Quinas, określił przełom we współpracy jako „punkt zwrotny w drodze od badań akademickich do komercyjnych produktów pamięciowych.”
UltraRAM od samego początku budzi ogromne emocje w branży półprzewodników. Technologia, której pierwsze założenia ogłoszono w 2022 roku, miała oferować to, co dotąd wydawało się nieosiągalne w jednym rozwiązaniu: prędkość zbliżoną do DRAM, energooszczędność, trwałość 4000 razy większą niż NAND oraz nieulotność, dzięki której dane można przechowywać przez długi czas. Sekret tkwi w wykorzystaniu procesu kwantowo-mechanicznego zwanego rezonansowym tunelowaniem. To on pozwala na uzyskanie tak unikatowych parametrów w pamięci nieulotnej.
Choć jeszcze dekadę temu podobne projekty kończyły się na obiecujących publikacjach naukowych, UltraRAM konsekwentnie przechodzi kolejne etapy dojrzewania. Po sukcesie badań prowadzonych na brytyjskim Uniwersytecie Lancaster w 2023 roku Quinas Technology pokazało prototyp działającego układu, a teraz – wspólnie z IQE – doprowadziło technologię do stanu umożliwiającego wdrożenie w skali przemysłowej.
Obecnie firmy rozważają uruchomienie pilotażowej produkcji we współpracy z wybranymi foundry i partnerami branżowymi. jeżeli proces przebiegnie pomyślnie, UltraRAM może trafić na rynek w ciągu najbliższych lat i stać się konkurencją zarówno dla DRAM, jak i pamięci flash.
Pamięć, która łączyłaby wszystkie najlepsze cechy DRAM i NAND, od dawna była marzeniem projektantów układów i producentów elektroniki. Teraz, po latach prac i sceptycyzmu części branży, wydaje się, iż UltraRAM naprawdę jest o krok od komercjalizacji. jeżeli projekt osiągnie sukces, może wywołać największą zmianę w świecie pamięci od czasu wprowadzenia flash NAND w latach 80. Jednocześnie trudno oczekiwać, iż europejska firma ma realne szanse na zawładnięcie rynkiem. Patent na UltraRAM prawdopodobnie będzie musiał docelowo trafić do amerykańskich lub koreańskich potentatów rynku pamięci.
