Samsung pokazuje zHBM i V10 BV-NAND. Pamięć HBM trafi bezpośrednio na akcelerator AI

14 godzin temu
Samsung od lat przekonuje, iż zamierza odzyskać pozycję lidera rynku pamięci. Podczas FMS 2026 w Santa Clara zaprezentował technologie, które mają wyznaczyć kierunek rozwoju kolejnych generacji układów. Od pamięci NAND z ponad 400 warstwami po architekturę zHBM, w której stos HBM trafia bezpośrednio na akcelerator AI. Choć dziś to SK hynix wyznacza tempo w segmencie HBM4, Samsung liczy, iż następna generacja odwróci układ sił.
Idź do oryginalnego materiału